【有片】擺脫ASML曝光機牽制 中國傳打造5奈米晶片

洪毅    2024年04月02日 21:00:00

在美國試圖遏制中國發展半導體尖端技術之際,中國正傾全國之力打造供應鏈,並在技術上取得進展,降低對荷蘭先進晶片製造設備的依賴,讓中國晶片製程繼續突圍到5奈米。



 



南華早報引述消息人士報導,中國半導體公司「北方華創科技集團」等業者,從上月開始啟動開發新型微影技術的計畫,試圖在沒有荷蘭艾司摩爾(ASML)先進曝光機的情況下,打造出運算能力更強的5奈米晶片製程,而華為上月申請專利,顯示研發已有初步進展。



 



這些舉措都是在絕對保密的情況下進行,避免打草驚蛇引起美國注意。此前華為推出搭載7奈米手機時,就引起美國警覺,因為美國的出口管制理應讓中國無能力生產此製程的晶片。



 





北方華創半導體設備部門在北京的總部。(取自北方華創官網)


 



當今的5奈米晶片幾乎都透過「極紫外光微影製程」(EUV)的曝光機生產,這是ASML獨霸的領域,且在出口限制下無法賣給中國。因此,中國企圖藉由發展「自對準四重成像」(SAQP)技術,讓晶片實質上達到5奈米的運算能力。



 



SAQP是多重曝光(Multiple patterning)技術的一種,可在晶圓上多次蝕刻線路,提高電晶體密度及晶片運算能力。中國希望藉由SAQP技術突破,能利用先進度不若EUV的「深紫外光微影製程」(DUV)曝光機來生產5奈米晶片。



 







 



SAQP技術牽涉到供應鏈上諸多業者,除了北方華創,華為、上海微電子、深圳新凱來都是其中的參與者,北方華創甚至還與「中微半導體」互相競爭,後者也致力於探索多重曝光技術,希望製造更先進的晶片。



 



北方華創等業者發展SAQP技術能否成功,仍是未知數,況且就算中國打造出5奈米晶片,也依然落後於台積電去年生產的3奈米晶片,並在艾斯摩爾的EUV設備下向2奈米推進。



 




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